FDD86367-F085
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDD86367-F085 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 100A DPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.06 |
10+ | $1.851 |
100+ | $1.4877 |
500+ | $1.2223 |
1000+ | $1.0127 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 227W (Tj) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4840 pF @ 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | FDD86367 |
FDD86367-F085 Einzelheiten PDF [English] | FDD86367-F085 PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDD86367-F085onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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